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范小娇博士
更新时间:2016年04月11日 16:01  编辑:电子信息工程系  关注:

范小娇,工学博士。2015年毕业于西安电子科技大学,研究方向为电子材料的制备和表征。曾参与4项国家自然科学基金项目,并以第一作者,在国际期刊上发表SCI检索论文3篇,Scopus & Inspec检索论文2篇,申请授权专利两项。2016年2月,来西京学院信息工程学院工作。

科研成果:

1.Xiaojiao Fan, Hongxia Liu, Xujie Zhang, Identification of optimal ALD process conditions of Nd2O3 on Si by spectroscopic ellipsometry,Applied Physics A, 2014, 114(2): 545-550 (SCI:000330586200036).(JCR二区)

2.Xiaojiao Fan, Hongxia Liu, Bo Zhong, Chenxi Fei, Xing Wang, Qianqiong, Wang, Optical characteristics of H2O-based and O3-based HfO2 films deposited by ALD using spectroscopy ellipsometry,Applied Physics A, 2015, 119(3): 957-963 (SCI:000354189200020). (JCR二区)

3.Xiaojiao Fan, Hongxia Liu, Bo Zhong, Chenxi Fei, Xing Wang, Qianqiong, Wang, Observation of Optical Properties of Neodymium Oxide with Spectroscopic Ellipsometry,Journal of electronic materials, (2015) , 44(8): 2592-2597 (SCI:000357041400007). (JCR二区)

4.Xiaojiao Fan, Hongxia Liu, Chenxi Fei, Effect of post-deposition annealing on the interfacial chemical bonding states and band alignment of atomic layer deposited neodymium oxide on silicon ,Mater. Res. Express,2014, 1(4): 045005. (Scopus & Inspec: 14647655)

5.Xiaojiao Fan, Hongxia Liu, Bo Zhong, Chenxi Fei, Xing Wang, Qianqiong, Wang, Effect of Al addition in HfO2 on the optical properties of the dielectrics using spectroscopy ellipsometry,Mater. Res. Express, 2015, 4(2): 046402. (Scopus & Inspec: 15012690)

发明专利

1.刘红侠,范小娇,费晨曦等。基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法,国家发明专利,专利号:201310280326X

2.刘红侠,费晨曦,范小娇等。基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法,国家发明专利,专利号: 2013102801781

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